格隆汇4月17日｜据央视，从上海市科委获悉，集成芯片与系统全国重点实验室周鹏-刘春森团队通过构建准二维泊松模型在理论上，预测了超注入现象打破了现有存储速度的理论极限研制“破晓(PoX)”皮秒闪存器件。其擦写速度可提升至亚1纳秒。400皮秒相当于每秒可执行25亿次操作，是迄今为止世界上最快的半导体电荷存储技术。相关成果以《亚纳秒超注入闪存》为题于北京时间4月16日晚间在《自然》(Nature)期刊上发表。
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